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Jueves, 13 julio 2017
Ingeniería

Una nueva tecnología permitirá comunicaciones más rápidas y eficientes energéticamente

Investigadores de la Universitat Politècnica de València (España), pertenecientes al Centro de Tecnología Nanofotónica, han desarrollado una nueva tecnología compatible con fotónica de silicio cuyo uso en el ámbito de las comunicaciones permitirá incrementar la velocidad de transmisión de Internet, así como reducir el consumo energético de los dispositivos. Entre sus posibles aplicaciones, destaca también el sector aeroespacial: la tecnología desarrollada ayudaría a mejorar la velocidad de operación de las comunicaciones por satélite, así como a reducir el peso de dichos satélites.

 

El desarrollo de esta tecnología constituye el principal resultado de SITOGA, un proyecto europeo coordinado por el NTC-UPV y en el que han participado también la spin off de la UPV, Das Photonics y la multinacional IBM. La tecnología desarrollada está basada en la integración de dióxido de vanadio y titanato de bario en chips de silicio. El uso de estos materiales ha permitido miniaturizar y bajar el consumo de potencia y demostrar por primera vez modulaciones de alta velocidad utilizando el mismo efecto que se emplea actualmente en los moduladores comerciales, lo que abre la posibilidad de conseguir velocidades de modulación ultrarrápidas y también un bajo consumo energético.

 

La característica singular de esta tecnología es su compatibilidad con la fabricación de circuitos integrados CMOS, que abre la posibilidad de fabricación a gran escala y bajo coste así como su integración con otros componentes fotónicos para permitir funcionalidades mucho más complejas que las que ofrecen actualmente los dispositivos comerciales.

 

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Investigadores de la UPV estudian una nueva tecnología compatible con fotónica de silicio. (Foto: UPV)

 

“Los resultados que hemos obtenido podrán tener un gran impacto en el sector de las telecomunicaciones y las comunicaciones de datos. Hemos conseguido desarrollar un chip basado en la tecnología híbrida de titanato de bario y silicio que funciona a velocidades de hasta 40 Gigabits/s, cien veces superior al récord alcanzado hasta el momento, conseguido en el año 2014 por un grupo de investigación americano”, destaca Pablo Sanchis, investigador del Centro de Tecnología Nanofotónica de la UPV y coordinador del proyecto.

 

La principal ventaja del dióxido de vanadio es que permite modificar de forma significativa la señal óptica en distancias del orden del micrómetro. “Esto supone poder reducir el tamaño de los dispositivos y el consumo de potencia. Esta tecnología podría tener utilidad en aplicaciones de conmutación electroóptica, como por ejemplo, en servidores para poder encaminar la señal óptica de una forma mucho más eficiente”, añade Pablo Sanchis.

 

Junto al NTC, Das Photonics e IBM, en el proyecto han participado también el Centro Nacional de Investigación Científica francés (CNRS), la Universidad Católica de Lovaina (Bélgica) y el Instituto IHP- Innovations for High Performance Microelectronics alemán. (Fuente: UPV/DICYT)

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