Empuje decisivo a la electrónica flexible gracias a un nuevo transistor

Un nuevo transistor supera de forma notable a modelos existentes de su tipo. Este avance podría conducir a un aumento espectacular de las prestaciones de los dispositivos electrónicos flexibles e incorporables a prendas de vestir.

El transistor es obra del equipo de Xiangfeng Duan, de la Universidad de California en Los Ángeles (UCLA), Estados Unidos.

Gracias a sus propiedades electrónicas y ópticas especiales, nanomateriales como el grafeno y el sulfuro de molibdeno han despertado grandes expectativas entre los científicos por su potencial para revolucionar el diseño de transistores y circuitos.

Están en marcha investigaciones que podrían incrementar grandemente la eficiencia y las capacidades de los semiconductores por capas bidimensionales utilizados en dispositivos electrónicos flexibles y de alta velocidad. Pero la estructura del grafeno carece de una propiedad llamada banda prohibida, que permite que la corriente que pasa a través del material sea apagada o encendida. A diferencia del grafeno, el sulfuro de molibdeno tiene una banda prohibida y puede funcionar como semiconductor de grosor atómico, permitiendo así la fabricación de transistores de grosor atómico con altas tasas de encendido/apagado (on/off) y otras cualidades deseables.

Duan y sus colegas fabricaron transistores de Efecto Campo hechos de sulfuro de molibdeno que han demostrado el mejor rendimiento hasta la fecha en un transistor de este tipo. En un futuro próximo, su invento podría propiciar la creación de sistemas de seguimiento de la salud y del estado físico, smartphones, gafas inteligentes y otras aplicaciones incorporables a prendas de vestir, mucho más potentes y sensibles.

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