Nueva técnica para obtener nanoestructuras autoorganizadas

Muchos dispositivos semiconductores en la tecnología moderna, desde circuitos integrados hasta células solares y LEDs, están basados en nanoestructuras. Producir conjuntos de nanoestructuras regulares precisa normalmente de un esfuerzo sustancial. Si se autoorganizaran, la producción de tales dispositivos sería considerablemente más rápida y sus costes por tanto descenderían mucho.

El equipo de Stefan Facsko, del Centro Helmholtz de Dresde-Rossendorf (HZDR) en Alemania, y Xin Ou del Instituto de Microsistemas y Tecnología de la Información de Shanghái (SIMIT), dependiente de la Academia China de Ciencias, ha demostrado ahora un método para la autoorganización de conjuntos nanoestructurados a través de irradiación de haces de iones.

En su asombroso método, los investigadores utilizan haces de iones, que son átomos cargados eléctricamente y moviéndose a gran velocidad. Concretamente, dirigen un amplio haz de iones de gas noble contra una oblea de arseniuro de galio.

En algunos aspectos, podríamos comparar la nueva técnica de bombardeo iónico con la técnica del arenado (limpieza o lijado mediante chorro de arena). Sin embargo, a diferencia de en el arenado, con la nueva técnica las nanoestructuras de interés se crean por sí mismas, partiendo de las condiciones iniciales seleccionadas. La estructura regular finamente cincelada recuerda un poco a las dunas de arena, estructuras naturales creadas por el viento. Todo ocurre, no obstante, en el reino nanoscópico, existiendo apenas una distancia de 50 nanómetros entre dos dunas (las hebras de cabello humano son dos mil veces más gruesas).

Además de producir tales estructuras nanoscópicas bien definidas, la técnica preserva el estado cristalino del material semiconductor.

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