Tecnología de datos de alta velocidad gracias a la “espintrónica”

Unos científicos han hecho un avance fundamental en el importante y emergente campo de la espintrónica, que podría dar lugar a una nueva tecnología de datos de alta velocidad y eficiencia energética.

En concreto, un equipo internacional de investigadores, entre los que se encuentra la Universidad de Exeter, ha hecho un descubrimiento revolucionario que tiene el potencial de proporcionar una alta velocidad y un bajo consumo de energía para algunos de los dispositivos electrónicos más utilizados en el mundo.

Si bien la tecnología de la información de hoy en día depende de la electrónica, que consume una enorme cantidad de energía, los electrones dentro de las corrientes eléctricas también pueden transferir una forma de momento angular llamado spin (espín).

La electrónica basada en el espín o "espintrónica", tiene el potencial de ser no solo significativamente más rápida, sino también más eficiente en términos de energía.

Los científicos han descubierto recientemente que algunos materiales antiferromagnéticos eléctricamente aislantes son conductores excepcionalmente buenos de corriente de espín pura.

En la nueva investigación, los científicos de Exeter, en colaboración con las Universidades de Oxford, California Berkeley, y las Advanced and Diamond Light Sources, han demostrado experimentalmente que las corrientes de espín alternas de alta frecuencia pueden ser transmitidas por, y a veces amplificadas dentro de las delgadas capas de NiO antiferromagnético.

Un nuevo avance en la "espintrónica" podría impulsar la tecnología de datos de alta velocidad. (Foto: University of Exeter)

Los resultados demuestran que la corriente de espín en las delgadas capas de NiO está mediada por ondas de espín evanescentes, un mecanismo similar a efecto túnel de la mecánica cuántica.

La investigación se ha publicado en la revista Physical Review Letters.

Maciej Dabrowski, primer autor de la Universidad de Exeter dijo: "La confirmación del mecanismo de ondas de espín evanescentes mostrado por nuestro experimento indica que la transferencia de momento angular entre los espines y la red cristalina de un antiferroimán puede realizarse en finas películas de NiO y abre la puerta a la construcción de amplificadores de corriente de espín a nanoescala". (Fuente: NCYT Amazings)