La revolución futura de los memorresistores basados en electrónica transparente

La memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM) está basada en memorresistores. Los dispositivos con esta tecnología podrían llegar a ser incluso más pequeños, rápidos y baratos que los transistores de silicio que revolucionaron la electrónica, y además podrían ser transparentes.

La electrónica transparente podría permitir dispositivos novedosos que todavía no existen, o al menos no fuera de los laboratorios, y que podrían hacer cosas como mostrar información en el parabrisas de un automóvil, o dejarnos navegar por internet usando como pantalla el tablero de cristal de una mesa.

El equipo de John Conley, de la Universidad Estatal de Oregón en Estados Unidos, ha confirmado que el óxido de estaño y zinc, un compuesto barato, tiene un potencial significativo para ser usado en este campo, y podría brindar una nueva tecnología transparente con la cual las memorias de ordenador se basen en la resistencia y no en la carga eléctrica.

Los memorresistores tienen una estructura simple, son capaces de programar y borrar información con rapidez, y consumen poca energía. Logran un funcionamiento similar a la memoria flash basada en transistores, pero usando un enfoque diferente.


Mientras que la memoria flash tradicional se basa en la carga eléctrica para almacenar información, la RRAM logra esto usando la resistencia eléctrica. Al igual que la memoria flash convencional, puede conservar sin necesidad de un suministro eléctrico la información ya almacenada.

Los chips de memoria flash están por doquier en casi todos los productos electrónicos modernos, incluyendo teléfonos móviles, ordenadores, consolas de videojuegos y televisores modernos.

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