Nueva y revolucionaria clase de materiales para memorias de ordenador

Un equipo internacional de científicos ha descubierto una nueva clase de materiales que podrían resultar muy útiles para el desarrollo de nuevos tipos de memorias de ordenador.

El equipo de investigación, dirigido por Christos Panagopoulos de la Universidad Tecnológica Nanyang en Singapur, estudió estructuras formadas depositando diferentes materiales en capas de pocos átomos de grosor. El equipo descubrió que esta nueva clase de materiales ostenta una propiedad muy atractiva, la ferroelectricidad, que se puede usar para crear nuevas clases de dispositivos de almacenamiento de datos.

Los materiales ferroeléctricos presentan polarización eléctrica espontánea, que se caracteriza por la presencia de carga eléctrica positiva en un lado del material y carga negativa en el lado opuesto. La polarización se puede revertir aplicando un campo eléctrico (generado por una pila, por ejemplo). Estas dos posibles orientaciones de la polarización hacen que estos materiales sean atractivos para el desarrollo de memorias de ordenador, ya que cada orientación podría corresponder a un 0 ó un 1.

Este descubrimiento abre la posibilidad de poder establecer a voluntad propiedades a escala atómica, y crear materiales artificiales que presenten nuevas propiedades funcionales que no poseen los materiales que los componen.

Esto amplía considerablemente la gama de los materiales ferroeléctricos conocidos, y abre nuevos caminos para el diseño de nuevos sistemas ferroeléctricos.


Estos nuevos materiales fueron fabricados y caracterizados por investigadores de la Fundación para la Investigación y la Tecnología - Hellas, en Grecia, la Universidad Tecnológica Nanyang en Singapur, y la Universidad de Sungkyunkwan en Corea del Sur.

Mediante el uso de métodos avanzados de síntesis, los científicos pudieron fabricar estructuras mediante la estrategia de depositar, una a una, capas de grosor atómico de diferentes materiales, formando estructuras de pocos nanómetros de espesor. Aunque ninguno de los materiales que las componían eran ferroeléctricos, las estructuras compuestas mostraban una acentuada polarización ferroeléctrica.

Al principio, la naturaleza de este fenómeno no estaba clara, pero un equipo de científicos de la Universidad de Nebraska-Lincoln en Estados Unidos, dirigidos por el físico Evgeny Tsymbal, encontró la explicación a este comportamiento. Ellos modelaron la estructura atómica y las propiedades electrónicas de estos materiales en el Centro Holland de Computación de la universidad antedicha, y los resultados indicaron que las interfases entre los materiales que componían las estructuras eran responsables de las nuevas propiedades observadas.

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